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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。裸板电源多规格可定制。裸板电源有哪些

其中：gq1是控制原边功率开关q1的原边控制信号、vdq1是原边功率开关q1两端的压降、iq1是流过原边功率开关q1的电流、i101是流过副边开关电路101的电流、vdsr是副边开关电路101两端的压降、gsr是控制副边开关电路101的副边控制信号。在t0时刻以前，原边功率开关q1处于导通状态，流过电气隔离装置t原边t1的电流线性上升。这个阶段与传统反激电路一致。在t0时刻，原边功率开关q1被断开。断开的触发条件可以是例如iq1达到由反馈输出信号fbo决定的设定值(即误差信号vea决定的设定值)，也可以是原边功率开关q1的导通时间达到由反馈输出信号fbo决定的设定值(即误差信号vea决定的设定值)，等等。此时，开关电源电路开始进入续流阶段。由于变压器耦合作用，并且副边开关电路101还没开通，其体二极管导通。此时副边开关电路101上被检测到流过电流，***控制信号gsr1控制其导通。具体来说，此时vdsr为体二极管的导通压降，约为。于是在***比较器15处，vdsr小于***阈值vth1。因此，***逻辑电路17被置位，从而将副边开关电路101导通。相应地，电流流过副边开关电路101。此时，101两端的电压vdsr与流过其上的电流成比例，随着电流的逐渐减小，101两端的电压vdsr从一个较负的值逐渐上升。中国台湾恒压裸板电源24v3a开关电源裸板介绍。

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